از جمله تکنیک های مطالعه خواص الکتریکی نیمه هادی‌ها می توان به موارد زیر اشاره کرد :
Electron-beam-induced conductivity (EBIC)
cathodoluminescence (CL)
scanning deep-level transient spectroscopy(SDLTS)
نیمه رسانا
Semiconductor
مشاهده ومطالعه سطح مقطع (cross section) لایه های نازک (multilayer thin films) که ساختاری متداول در نیمه رساناها است دیگر توانایی SEM در این حوزه است. میکروسکوپ های الکترونی Dual beam بهترین ابزار برای دست یابی به این اهداف هستند.
زمانی که مطالعه نیمه هادی‌ها مد نظر است، بررسی ریز ساختار، مورفولوژی و عیوب کریستالی تنها کارایی میکروسکوپ های الکترونی نیستد. در کنار اینها با استفاده از تکنیک‌های خاصی بررسی خواص نوری و الکتریکی نیمه هادی‌ها بوسیله میکروسکوپ های الکترونی میسر است.
روش EBIC جهت بررسی نرخ تولید حامل بار (charge carriers) زمانی که راندمان بازترکیبی (recombination efficiency) مورد مطالعه است به کار برده می شود.
همچنین با بررسی نشر CL نمونه، راندمان تشعشع در نیمه هادی ها قابل مطالعه است.
بررسی band gap در نیمه هادی ها نیز با scanning deep-level transient spectroscopy میسر است.